TSMC加快了对亚利桑那芯片综合体的投资，而三星推迟了德克萨斯州的面料

根据两份新报告，TSMC和三星电子设备将其在美国的纺织品行动朝不同的方向转动。 《华尔街日报》今天引用了资源，说TSMC正在加速对其亚利桑那工厂的投资。同时，据报道，三星推迟了德克萨斯州芯片工厂的完成。两家公司的建设项目预计将耗资超过1800亿美元。根据《华尔街日报》的报道，TSMC减慢了日本的建设项目，以为亚利桑那州的加速投资计划提供更多资源。最终计划将使该公司能够在凤凰城附近建立一个令人眼花azz乱的制造中心，该中心将接受九种不同的设施。预计该中心将全部使用6,000名专业人士。到2024年底，亚利桑那州的第一批TSMC面料在亚利桑那州获得了四个纳米芯片。纳米节点。这将使来自纳米片的晶体管成为少量的半导体材料到道路 - 厚度原子。据报道，日本工厂延迟的TSMC将在去年开设的现有工厂旁边建造。在整个容量中，这两家工厂每月最多可生产100,000块12英寸晶圆。 TSMC认为将用于数据中心，工业设备，车辆和电子消费者的芯片。三星是TSMC在芯片制造市场芯片中的主要竞争对手之一，并且还扩大了其在美国的生产基础设施。 2020年，该公司宣布计划花费170亿美元在德克萨斯州泰勒（Taylor）生产货物布。该工厂距离奥斯丁的两个现有三星芯片工厂约30英里。该公司计划在2024年底之前开始在泰勒制作筹码。从那以后，开放日期已于2026年推迟。周四，尼克基（Nikkei）亚洲报道说三星推迟了织物的完成Hile努力寻找客户。根据报纸引用的监管文件，三月份完成了90％以上的建筑。但是，三星报道说，“不急于”移动工厂芯片制造设备。该公司计划在泰勒制造4NM芯片。根据Nikkei Asia的说法，高管决定部署更高级的2NM流程。据信三星对升级采取“等待和观察”的态度，这可能需要大量投资。 Samsu Sayof在一份声明中回应了该报告，该报告仍计划在2026年之前开放该工厂。目前尚不清楚该设施是否会与原本计划安装公司的所有制造设备一起提供。三星和TSMC都计划在明年推出最新，最强大的2NM制造过程。这些方法将使用称为完整环绕门设计的晶体管架构。它在处理D时减少了强度损失的晶体管的数量ATA，有助于提高力量和绩效效率。